[21a-S222-1~12] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[21a-S222-8] beta-Ga₂O₃ショットキーバリアダイオード素子特性の分布

〇嘉数 誠¹、原田 和也¹、花田 賢志¹、大石 敏之¹ (1.佐賀大院工)

キーワード：酸化ガリウム、ショットキーバリアダイオード

我々はこれまでGa₂O₃ショットキーバリアダイオード(SBD)を作製し、優れた素子特性を報告したが、今回、我々はb-Ga₂O₃単結晶上に多数のショットキーバリアダイオードを作製し、その素子特性の分布を調べたので報告する。