[21a-S421-1~11] 17.1 カーボンナノチューブ，他のナノカーボン材料

[21a-S421-1] Rh触媒を用いたアルコールガスソース法による400°C以下での単層カーボンナノチューブ成長

〇小澤 顕成¹、桐林 星光¹、小川 征悟¹、才田 隆広¹、成塚 重弥¹、丸山 隆浩¹ (1.名城大理工)

キーワード：単層カーボンナノチューブ

SWNTは様々な優れた電気的特性を有することから，エレクトロニクス材料への応用が期待されている。SWNTデバイス実現のためには，低圧力・低温下でSWNT成長を行う技術が必要である。これまで我々のグループでは高融点金属であるRh触媒を用いて高真空下でSWNT成長を行い，成長温度400°CでのSWNT成長の報告をしてきた。今回，成長温度の更なる低温化を試みるとともに，生成したSWNTの直径やカイラリティなど構造評価を行ったので報告する。