[21a-W541-1~12] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21a-W541-1] 自立GaN基板上p-n接合ダイオードにおける順方向電流集中領域の検討

〇林 賢太郎¹、太田 博¹、金田 直樹²、堀切 文正³、成田 好伸³、吉田 丈洋³、三島 友義¹、中村 徹¹ (1.法政大、2.クオンタムスプレッド、3.サイオクス)

キーワード：自立GaN基板、p-n接合ダイオード