2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21p-H111-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2016年3月21日(月) 13:00 〜 18:45 H111 (本館)

島 久(産総研)、内藤 泰久(産総研)

13:00 〜 13:15

△ [21p-H111-1] Cu/WOx平面型抵抗変化メモリのTEMその場観察

〇武藤 恵1、米坂 瞭太1、福地 厚1、有田 正志1、高橋 庸夫1 (1.北大院情報)

キーワード：抵抗変化メモリ、TEM