[21p-H111-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21p-H111-19] Pt/Nb:STOショットキー接合における障壁変調とメモリ特性の関係

〇塩見 俊樹¹、萩原 祐仁¹、岸田 悟^1,2、木下 健太郎^1,2 (1.鳥取大工、2.TiFREC)

キーワード：抵抗変化メモリ、酸化物エレクトロニクス