[21p-P10-1~24] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21p-P10-19] ガンマ線照射耐性におけるSiC-MOSFETの構造最適化

〇(M1)三友 啓^1,2、松田 拓磨^1,2、村田 航一^1,2、横関 貴史^1,2、牧野 高紘²、武山 昭憲²、小野田 忍²、大島 武²、大久保 秀一³、田中 雄季³、神取 幹朗³、吉江 徹³、土方 泰斗¹ (1.埼玉大学、2.日本原子力機構、3.サンケン電気)

キーワード：SiC MOSFET、ガンマ線、酸化膜厚

より耐放射線性の高いSiC MOSFETの構造条件に関する知見を得るために、ゲート酸化膜厚の異なるSiC MOSFETにガンマ線照射を行い特性の変化を調べた。酸化膜厚が大きいSiC MOSFETの方が高線量での低下が大きく、より少ない線量でノーマリーオンへと至った。これより、SiC MOSFETにおいても酸化膜厚は放射線による特性劣化に影響を及ぼし、酸化膜が薄い方が高い耐性を持つことが判明した。