[21p-P10-1~24] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21p-P10-8] Al、Nイオン注入したSiCのシート抵抗と結晶欠陥との相関

〇吉田 謙一¹、前川 順子¹、川野輪 仁¹ (1.イオンテクノセンター)

キーワード：炭化珪素、イオン注入、電子顕微鏡

我々はこれまでSiC半導体に対してAl⁺注入と高温アニール処理による活性化を行い、ホール測定によるシート抵抗、ラマン測定やTEM観察による欠陥評価で注入ドーズにおける適切な活性化温度等を評価してきた。N⁺注入でもホール測定とラマン測定からイオン注入手法の固容限界点を見出した。今回は固容限界点以上で活性化しないのは、イオン注入における結晶欠陥に起因するかをTEM像から評価したので報告する。