[21p-P11-1~11] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [21p-P11-9] パワーデバイス用GaNウエハのラマン散乱分光法による評価(5)

〇(M1)池田 直樹¹、山本 秀和¹ (1.千葉工業大学)

キーワード：窒化ガリウム、ラマン分光法

現在主流のパワーデバイス用半導体材料のSiは、すでにデバイス特性が物性限界に近いとされている。このSiの物性限界を超える半導体材料としてGaN on Siウエハが期待され、研究開発が進められている。本研究ではSi基板上に緩和層を形成し、AlGaN/GaN層を堆積させたGaN on Siウエハの結晶性をラマン散乱分光法により評価した。