[21p-P2-1~7] 3.13 半導体光デバイス

[21p-P2-3] イオン注入を用いた多重積層量子ドット構造の混晶化の検討

〇(B)松井 信衞¹、武井 勇樹¹、松本 敦²、赤羽 浩一²、松島 裕一³、石川 浩¹、宇髙 勝之¹ (1.早大理工、2.情報通信研究機構、3.早大GCS機構)

キーワード：混晶化、量子ドット