2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[21p-P3-1~21] 6.2 カーボン系薄膜

2016年3月21日(月) 13:30 〜 15:30 P3 (屋内運動場)

13:30 〜 15:30

[21p-P3-1] 水素終端ダイヤモンド(001)表面の金オーミック電極の障壁高さ

河野 省三1、寺地 徳之2、竹内 大輔3、小倉 政彦3、児玉 英之1、澤邊 厚仁1 (1.青学大理工、2.物材機構、3.産総研)

キーワード:ダイヤモンド、障壁高さ、金電極

水素終端したダイヤモンド表面に金を蒸着すると、オーミック電極が形成される。その障壁高さについては電気抵抗測定から~0.49 eVと報告されている(T. Teraji et al., J. Appl. Phys. 104(2008)016104 )。一方、同様な測定から~0.0 eVが推測されている(K. Tsugawa et al., Phys. Rev. B81(2010)045303.)。我々は、先にその障壁高さをXPSにより直接的に求め、それがほとんど 0 eVであると報告した[河野省三他、 第61 回応用物理学会春季学術講演会18p-D6-11]。しかし、その後の検討から、試料条件がXPSによる直接的決定が不確実であることが分かった。 今回それを修正して、障壁高さが~0.3 eVである結果を得たので報告する。