[21p-P3-1~21] 6.2 カーボン系薄膜

[21p-P3-19] 有機化合物/N₂混合気体放電を用いた高窒素含有a-CN_x:H膜の生成―薄膜の構造解析

〇平松 拳也¹、斎藤 秀俊¹、伊藤 治彦¹ (1.長岡技大工)

キーワード：アモルファス窒化炭素

水素化されたアモルファス窒化炭素膜の生成法として有機化合物と窒素ガスとの混合気体放電が広く用いられている。最近の我々の研究で、有機化合物の分圧を窒素のそれに比べて十分に低くとると、窒素含有率が最大で0.5程度の膜が得られることがわかっている。このような膜の構造解析は十分に行われていないため、本研究ではCH₃CN、C₆H₆を原料を変え、さらに窒素ガスの導入量を変化させて並行平板型高周波プラズマCVD装置で作製した膜の組成と構造を調べた。