[21p-S421-1~20] 17.1 カーボンナノチューブ，他のナノカーボン材料

△ [21p-S421-15] SiC基板上高密度CNT配向膜における電気伝導機構の解明

〇(DC)松田 敬太^1,2、乗松 航¹、楠 美智子² (1.名大院工、2.名大未来)

キーワード：カーボンナノチューブ、可変長ホッピング、薄膜

SiC基板上に形成した高密度CNT配向膜の伝導特性のCNT長による変化を調査し、伝導特性の解明を試みた。抵抗率の温度依存性は100 nm程度を境に反転し、長尺では金属的な、短尺では非金属的な性質を見せた。非金属的な特性を示した配向膜では、その伝導機構が可変長ホッピング（VRH）で記述可能であり、CNT長の変化に伴い、ES, Mott-2D, Mott-3DのVRHへと系統的に変化することを明らかにした。