[21p-W541-1~12] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [21p-W541-4] AlGaN/GaN系ノーマリーオフPチャネルMOS-HFETにおける基板バイアス効果

〇久保田 俊介¹、中島 昭²、西澤 伸一²、大橋 弘通¹、角嶋 邦之¹、若林 整¹、筒井 一生¹ (1.東工大総理工、2.産総研)

キーワード：窒化物半導体、Pチャネル、ノーマリーオフ