[22a-P5-1~18] 6.4 薄膜新材料

[22a-P5-15] 超音波噴霧法によるシリコン酸化膜の低温成膜

〇香取 重尊¹、平松 考樹¹、永幡 正憲¹、織田 真也²、人羅 俊実² (1.津山高専、2.株式会社ＦＬＯＳＦＩＡ)

キーワード：シリコン酸化膜、ミストCVD、低温成膜

ミストCVD法によるシリコン酸化膜の成膜を検討した。ポリシラザンを原料とし、過酸化水素水を酸化剤として用いて、ガラス/ITO基板上に成膜を行った。得られた薄膜に対して分光エリプソメトリ法により屈折率および膜厚を測定したところ、100℃で成膜したものでは屈折率が1.48、膜厚は64nmであった。また、電気特性を測定したところ、耐圧は18.47[MV/cm]であり、高い絶縁性が得られていることが明らかとなった。