[22a-P6-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[22a-P6-11] MOCVD成長したInGaN/GaN MQW太陽電池における外部量子効率のwell厚依存性

〇堤 達哉¹、加畑 智基¹、森 拓磨¹、三好 実人¹、江川 孝志¹ (1.名工大)

キーワード：太陽電池、Ⅲ族窒化物半導体

高効率の太陽電池としてGaN系太陽電池の実現が期待されている。ここで、光吸収層であるInGaN結晶をMOCVD成長によって膜厚化するとき結晶品質が悪くなるという問題点がある。解決策として、多層膜(MQW)型太陽電池が提案され活発に研究が行われている。本研究ではInGaN/GaN多層膜太陽電池のwell層の膜厚の変換効率への影響を調査したので報告する。