[22a-W611-1~14] 8.3 Deposition of thin film and surface treatment

△ [22a-W611-9] Oxygen additive amount dependence of photoresist removal rate by hydrogen radical

〇Masashi Yamamoto¹, Hironobu Umemoto², Keisuke Ohdaira³, Tomokazu Shikama¹, Takashi Nishiyama⁴, Hideo Horibe⁴ (1.NIT, Kagawa College, 2.Shizuoka Univ., 3.JAIST, 4.Osaka City Univ.)

Keywords:photoresist removal,hydrogen radical,environmentally friendly

レジストの除去には、一般に、有害な薬品や酸素プラズマなどが用いられており、環境負荷やプラズマ中の荷電粒子によるデバイス品質の低下などが課題となっている。そこで、我々はこれまでHot-wire法で生成した水素ラジカルを用いたレジスト除去方式を検討してきたが、除去速度が遅いことが課題の1つで あった。ここでは、水素に微量の酸素を添加することで除去速度の向上を図るとともに、その酸素添加量依存性について報告する。