13:30 〜 15:30 [7p-PB6-9] X線侵入深さ依存性を考慮した角度分解トポグラフィーによるAlイオン注入SiC基板の歪状態の観察 〇高橋 由美子1、平野 馨⼀1、志村 考功2、長町 信治3 (1.KEK-PF、2.⼤阪⼤院⼯、3.(株)⻑町サイエンスラボ)