16:30 〜 16:45 [5p-C17-11] AlGaN/GaN上にALD法で形成したAlONゲート絶縁膜の電気特性評価 〇野崎 幹人1、渡邉 健太1、山田 高寛1、施 泓安2、中澤 敏志2、按田 義治2、上田 哲三2、細井 卓治1、志村 考功1、渡部 平司1 (1.阪大院工、2.パナソニック)