14:30 〜 14:45 [7p-S22-5] ノーマリオフ型GaN MIS-HFETにおけるバイアスアニールの効果 〇南條 拓真1、林田 哲郎1、小山 英寿2、今井 章文1、古川 彰彦3、綿引 達郎1、山向 幹雄1 (1.三菱電機先端総研、2.三菱電機波光電、3.三菱電機パワ電)