14:00 〜 14:15 △ [7p-S22-3] Siイオン注入ソース領域をもつ縦型トレンチGaN-MOSFETのオーミック接触抵抗評価 〇高島 教史1、笹田 将貴1、Joel Asubar1、徳田 博邦1、葛原 正明1 (1.福井大学)