[5a-C17-1~10] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [5a-C17-10] α型酸化ガリウムを用いたショットキーバリアダイオードのスイッチング特性および熱特性の評価

〇河原 克明¹、織田 真也¹、徳田 梨絵¹、神原 仁志¹、奥田 貴史²、人羅 俊実¹ (1.(株)FLOSFIA、2.京大院工)

キーワード：酸化ガリウム、パワーデバイス、ショットキーバリアダイオード

次世代パワーデバイス用半導体材料として注目されるα-Ga₂O₃を用いてTO220 パッケージ品のSBDを作製し、スイッチング特性および熱特性を測定した。市販品のSiC SBDおよびSi PNDと比較した結果、α-Ga₂O₃ SBDの逆回復時間が最も短く、熱抵抗は13.9℃/WとSiC SBDと同程度（実測値12.5℃/W）であった。本研究のSBDは市販品と遜色ないスイッチング特性および熱特性が実現しており、パワーデバイス用半導体材料としてのα-Ga₂O₃の有用性、将来性を示している。