[5a-C17-1~10] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[5a-C17-8] Design of Vertical Ga₂O₃ Schottky Barrier Diodes with Over 3-kV Breakdown Voltage

〇Chiahung Lin¹, ManHoi Wong¹, Keita Konishi², Masataka Higashiwaki¹ (1.NICT, 2.Tokyo Univ. of Agri. & Tech.)

Keywords:Ga2O3, field-plated Schottky barrier diode, guard ring

縦型フィールドプレートGa₂O₃ショットキーバリアダイオード (FP-SBD)の高耐圧化を目指すため、アノードとFP電極のエッジ下部にガードリング (GR) を追加したデバイス構造について、シミュレーションにより設計を行った。GR無しFP-SBDにおける逆方向電圧を印加した場合、アノードとFP電極のエッジに強い電界集中が発生したが、GR構造を有したFP-SBD場合、GRとドリフト層の界面付近に電界が分散され、デバイスにある最大電界強度も抑えられることが分った。