[5p-A202-1~18] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[5p-A202-13] Ta₂O₅ の抵抗変化を利用した水素ガスセンサー素子

島 久¹、〇内藤 泰久¹、魏 志強²、本間 運也²、藤井 覚²、角谷 徹¹、秋永 広幸¹ (1.産総研ナノエレ、2.パナソニックセミコンダクターソリューションズ)

キーワード：水素ガスセンサー、抵抗変化型メモリ―、ナノギャップ

水素ガスは化石燃料の代替となる新しいエネルギー資源としてその利活用が進展している。一方で、高い感度で水素ガスを検出可能な水素ガスセンサー素子の開発も必要不可欠である。今回、Ta₂O₅ とPt 電極から構成された水素ガスセンサー素子において、電圧印加により抵抗変化を誘起する操作（フォーミング）を加えることにより水素ガスへの応答性を格段に高める事ができる手法を開発した。