[5p-C21-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[5p-C21-9] MBEによる(113)Bと(113)A GaAs基板上におけるGaAs/Ge/GaAsヘテロ構造の成長

〇盧 翔孟¹、南 康夫¹、熊谷 直人²、北田 貴弘¹ (1.徳島大院理工、2.産総研)

キーワード：分子線エピタキシー、ヘテロ構造、副格子交換