[5p-C21-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[5p-C21-8] MOVPE法によるGeSn層とGaAs層の一括成長の検討

〇(M1)藤原 由生¹、高橋 翔¹、藤澤 剛²、前田 幸治¹、荒井 昌和¹ (1.宮崎大工、2.北大工)

キーワード：MOVPE、中赤外、半導体レーザ

MOVPE法でGaAs基板上にGaAsバッファー層とGeSn層を同一炉内で連続成長した。評価方法はSIMSを用いて行い、Sn組成0.36%のGeSnとGaAsの連続成長を確認することができた。