[5p-PB1-1~13] 3.13 半導体光デバイス

[5p-PB1-9] 直接貼付InP/Si基板上1.5μm帯GaInAsPレーザの電気特性

〇韓 旭¹、鎌田 直樹¹、大貫 雄也¹、べリヤナヤガム ガンディカッラサン¹、内田 和希¹、相川 政輝¹、杉山 滉一¹、早坂 夏樹¹、下村 和彦¹ (1.上智大理工)

キーワード：レーザ、直接貼付、電気特性

大規模集積回路の高速大容量通信を低消費電力で実現すべく，Si基板上へのInP系光デバイスの集積が盛んに研究されている。これに対し我々は薄膜InPをSiプラットフォーム上に貼り合せたInP/Si基板を作製し，この基板上にMOVPE法を用いることで光デバイスの作製及び集積する手法を提案してきた。今回，InP/Si基板上においてGaInAsP-InPダブルヘテロレーザの集積を行い，発振したレーザの電流電圧特性の評価を行ったのでその結果を報告する。