[5p-PB8-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[5p-PB8-4] SiC/SiO₂界面における欠陥終端の温度依存性に関する第一原理計算

〇長川 健太¹、洗平 昌晃^1,2、白石 賢二^1,2 (1.名大工院、2.名大未来研)

キーワード：SiC、第一原理計算、post oxidation annealing