[5p-S42-1~15] 7.3 微細パターン・微細構造形成技術

△ [5p-S42-15] ナノギャップ電極のアレイ化に向けたスピンオングラスを用いたUVナノインプリント-多層リフトオフプロセスの評価

〇橋口 恭平^1,2、鈴木 健太²、廣島 洋²、菅 洋志¹ (1.千葉工大、2.産総研)

キーワード：光ナノインプリント、ナノギャップ、リフトオフ

ナノギャップ電極は、単一分子およびナノ粒子の電気的特性、および不揮発性メモリへの応用に期待されている. 我々は, リフトオフレジストを用いた2層リフトオフUV-NILで金属ナノギャップ電極の作製が可能であることを示した. しかし, インプリント残膜面内のばらつきによって, インプリント面内全域にナノワイヤーを作製することが難しかった. 本研究では, スピンオングラスを中間層に利用した多層リフトオフUV-NILの検討を行った.