[6a-A301-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [6a-A301-6] Naフラックスサファイア溶解法においてポイントシード面積がGaN結晶反りに与える影響

〇(D)山田 拓海¹、村上 航介¹、中村 幸介¹、北村 智子¹、垣之内 啓介¹、奥村 加奈子¹、今西 正幸¹、今出 完¹、吉村 政志¹、森 勇介¹ (1.阪大院工)

キーワード：Naフラックス法、窒化ガリウム