[6a-A301-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

[6a-A301-5] Growth of thick semi-polar GaN crystal to improve crystalinity by Na-flux method.

〇(M2)Ryusei Kuramoto¹, DoHun Kim¹, Takumi Yamada¹, Kosuke Murakami¹, Masayuki Imanishi¹, Mamoru Imade¹, Masashi Yoshimura¹, Yusuke Mori¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:Na Flux method, GaN, semi-polar

Naフラックスポイントシード法を用いた半極性面GaN結晶の厚膜化による結晶性及び曲率半径の向上。