[6a-A503-1~13] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [6a-A503-13] 太陽電池用多結晶Siの成長過程と冷却過程における転位の増殖

〇井手 智朗¹、中野 智²、原田 博文²、宮村 佳児²、柿本 浩一^1,2 (1.九大院工、2.九大応力研)

キーワード：転位、シリコン

太陽電池用Siインゴットの製造過程において結晶中に発生する転位は変換効率低下の原因の一つである。また、転位は結晶凝固後の冷却過程において急激に増加することが報告されていたため、本研究室では、これまで冷却過程に着目し転位密度解析を行ってきた。本発表では、Si結晶の成長過程から結晶凝固後の冷却過程までの転位密度の3次元数値解析を行い、成長過程と冷却過程のそれぞれの転位増殖を比較・考察した。