[6a-C16-1~9] 17.3 層状物質

[6a-C16-8] Si加工基板の利用による原子層カルコゲナイドの位置制御成長

〇入沢 寿史¹、岡田 直也¹、水林 亘¹、遠藤 和彦¹、森 貴洋¹、安藤 淳¹、佐々木 将悟²、遠藤 尚彦²、宮田 耕充² (1.産総研、2.首都大理工)

キーワード：カルコゲナイド、化学気層成長、原子層