[6p-A412-1~15] 6.2 カーボン系薄膜

△ [6p-A412-11] ダイヤモンドMOSFETにおける反転層確認とFET動作実証

〇松本 翼^1,2、加藤 宙光²、牧野 俊晴²、小倉 政彦²、竹内 大輔²、猪熊 孝夫¹、徳田 規夫^1,2、山崎 聡² (1.金沢大、2.産総研)

キーワード：MOSFET、ダイヤモンド、ノーマリーオフ

反転層チャネルによるダイヤモンドMOSFETの動作に世界で初めて成功した。反転層チャネルMOSFETは、原理的にノーマリーオフ特性を示し、その簡易構造ゆえ、信頼性が高く、世界中で最も利用されているパワーデバイスである。本研究では、低濃度リンドープn型層成膜技術、低接触抵抗を実現した選択成長技術、高品質なMOS界面を実現したウェットアニール技術がキーとなっている。本発表では、各要素技術およびFET特性の紹介を行う。