[6p-A412-1~15] 6.2 Carbon-based thin films

△ [6p-A412-12] Influence of SiO₂ thin films formed on the hydrogen-terminated diamond surface on a two-dimensional-hole-gas layer

〇(B)Taichi Yabe¹, Takuya Kudo¹, Sora Kawai¹, Miki Kajiya¹, Nobutaka Oi¹, Satoshi Okubo¹, Kiyotaka Horikawa¹, Taisuke Kageura¹, Shozo Kono¹, Atsushi Hiraiwa¹, Hiroshi Kawarada^1,2 (1.Waseda University, 2.Kagami Memorial Research Institute for Materials Science and Technology)

Keywords:diamond, Si thin films, 2DHG

水素終端ダイヤモンド表面上へSiO2薄膜が2次元正孔ガス層に及ぼす影響について、我々は水素終端ダイヤモンド表面上に高温ALD-Al2O3法によってゲート絶縁膜及びパッシベーション膜として形成し堆積させ、Al2O3によって誘起される2次元正孔ガスをチャネルとした2DHGダイヤモンドMOSFETの作製をしてきた。そこで、クーロン散乱を抑えるために水素終端ダイヤモンド表面上にSiO2を形成することにより、キャリアの移動度向上を図った。