The 78th JSAP Autumn Meeting, 2017

Presentation information

Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.2 Carbon-based thin films

[6p-A412-1~15] 6.2 Carbon-based thin films

Wed. Sep 6, 2017 1:15 PM - 5:30 PM A412 (412)

Kazuhiro Oyama(DENSO), Makoto Kasu(Saga Univ.), Shinichi Shikata(Kwansei Gakuin Univ.)

4:45 PM - 5:00 PM

[6p-A412-13] The improvement of cutoff frequency for ALD-Al2O3 2DHG diamond with high electric field>4×105V/cm

〇(B)Shoichiro Imanishi1, Nobutaka Oi1, Takuya Kudo1, Satoshi Okubo1, Kiyotaka Horikawa1, Atsushi Hiraiwa1, Hiroshi Kawarada1,2 (1.Waseda univ., 2.Zaiken)

Keywords:diamond, MOSFET, high frequency

ダイヤモンドは優れた物性を有しており、特に、高周波高出力デバイスとして期待されている。高周波デバイスにおいて重要な指標であるカットオフ周波数はソース・ゲート間においてキャリア(正孔)が飽和速度に達し得る電圧を印加することにより向上の期待が持てる。本研究では高電界下での高周波特性をシミュレーションと実際に作製したデバイスにより評価する。