[6p-A412-1~15] 6.2 カーボン系薄膜

△ [6p-A412-3] 窒素終端およびシリコン終端ダイヤモンド中の浅いNVセンターのスピン特性

〇(B)薗田 隆弘¹、河合 空¹、山野 颯¹、加藤 かなみ¹、蔭浦 泰資¹、福田 諒介¹、岡田 拓真¹、春山 盛善^2,4、谷井 孝至¹、山田 圭介²、小野田 忍²、寺地 徳之³、加田 渉⁴、花泉 修⁴、河野 省三^1,6、磯谷 順一⁵、川原田 洋^1,6 (1.早大理工、2.量研、3.物材機構、4.群馬大、5.筑波大、6.早大材研)

キーワード：窒素空孔中心、NVセンター、ダイヤモンド

ダイヤモンド中のNVセンターのナノスケールNMR応用に向け、様々な表面処理による浅いNVセンターの電荷状態の安定化が報告されている。本研究では、低加速イオン注入法によりダイヤモンド基板の表面近傍にNVセンターを形成し、熱混酸処理をした。その後、窒素ラジカル曝露を用いて窒素終端化処理を行った。また、高温中のシリコン蒸着によりシリコン終端化処理を行った。これらの終端下のNVセンターのスピン特性について報告する。