[6p-A412-1~15] 6.2 Carbon-based thin films

△ [6p-A412-2] Surface structure analysis of nitrogen-terminated diamond formed by nitrogen radical exposure method

〇(D)Taisuke Kageura¹, Sora Kawai¹, Hayate Yamano¹, Takahiro Sonoda¹, Jorge Buendia¹, Takashi Tanii¹, Moriyoshi Haruyama^2,3, Keisuke Yamada², Shinobu Onoda², Wataru Kada³, Osamu Hanaizumi³, Tokuyuki Teraji⁴, Zyunichi Isoya⁵, Alastair Stacey⁶, Shozo Kono^1,7, Hiroshi Kawarada^1,7 (1.Waseda Univ., 2.QST, 3.Gunma Univ., 4.NIMS, 5.Univ. of Tsukuba, 6.Univ. of Melbourne, 7.Soudai Zaiken)

Keywords:diamond, Nitrogen termination, Nitrogen-vacancy center

窒素終端ダイヤモンド表面のバンド構造が近年注目されており、表面近傍の窒素-空孔中心(NVセンタ)の負電荷安定化への応用が期待されている。本研究では、RFリモート窒素ラジカル暴露処理を用いていくつかの処理条件で窒素終端を形成した。その表面状態をX線光電子分光法(XPS)、X線吸収端微細構造(NEXAFS)により解析し、浅いNVセンタを用いて窒素終端表面が負電荷状態の安定化に寄与することを実証した。