[6p-C13-1~15] 3.15 シリコンフォトニクス

[6p-C13-1] [3.光・フォトニクス　分科内招待講演] 高性能シリコン光変調器・ゲルマニウム受光器の開発と光集積回路への適用

〇藤方 潤一¹、竹中 充²、最上 徹¹、蔵田 和彦¹、中村 隆宏¹ (1.光電子融合基盤技術研究所、2.東大工)

キーワード：シリコンフォトニクス、シリコン光変調器、ゲルマニウム受光器

Siフォトニクス技術とCMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) 電子回路技術を融合し，超高密度の信号伝送を低消費電力で実現する試みが注目を集めている．Si光変調器およびGe受光器はSi上に集積可能であり，光インターコネクトにおける伝送容量の増大と低消費電力化に寄与するキーデバイスであると考えられる．
本報告では，MOS型光変調器および歪SiGeを用いたSi光変調器の高性能化，さらには高品質Ge層を用いた高性能受光器の開発状況および，光電子集積回路への適用に関して紹介する．