[6p-C13-1~15] 3.15 シリコンフォトニクス

[6p-C13-7] 低損失グラフェン中赤外光変調器の検討

〇(M2)山口 夕貴¹、高木 信一¹、竹中 充¹ (1.東大院工)

キーワード：光変調器、グラフェン

二次元材料であるグラフェンは、その特異な物性から超高速かつ広波長域動作が可能な光変調器への応用が期待され研究されている。我々は動作波長を中赤外領域に長波化することでπ位相シフトに必要なグラフェンの化学ポテンシャルの変化を小さくできることに着目し、動作波長を3000nmにすることで絶縁破壊を起こさない現実的な電圧範囲で損失が小さい位相変調動作が可能であることを数値計算で検討した。