[6p-C23-1~16] 6.4 薄膜新材料

△ [6p-C23-4] パルスレーザー堆積法による高品質Cd₃As₂薄膜の作製

〇中澤 佑介¹、打田 正輝¹、西早 辰一¹、Kriener Markus²、小塚 裕介¹、田口 康二郎²、川﨑 雅司^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS)

キーワード：結晶成長、ヒ化物、ディラック電子系

ディラック半金属として知られるCd₃As₂について、パルスレーザー堆積法を用いた高品質薄膜の作製を行った。SrTiO₃(001)基板上にCd₃As₂薄膜を堆積し、さらにキャップ層としてTiO₂及びSi₃N₄を堆積した積層構造を作製した。これにより、600℃までの高温において堆積後のアニールを行うことが可能となり、高い結晶性をもつCd₃As₂薄膜が得られた。また、アニール温度の上昇に伴う薄膜の高品質化の過程を詳細に調べた。