[6p-PA7-1~16] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[6p-PA7-9] GaAs(100)基板上ヘテロエピタキシャルGaSb薄膜成長の界面制御

〇伊藤 峰水¹、鈴木 浩基¹、渡邊 優介¹、藤川 紗千恵²、町田 龍人¹、藤代 博記¹ (1.東理大院基礎工、2.電機大工)

キーワード：GaSb、MBE、界面制御