[6p-PA8-1~31] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[6p-PA8-14] プロトン照射がGaN HEMTの長期信頼性に与える影響

〇日坂 隆行¹、佐々木 肇¹、奥 友希¹、羽鳥 聡²、石神 龍哉²、久米 恭² (1.三菱電機(株)、2.若狭湾エネ研)

キーワード：窒化ガリウム、耐放射線性、高移動度トランジスタ

GaN HEMTは衛星搭載用SSPAへの応用が期待されるが、宇宙環境で利用するためには宇宙放射線に対して十分な耐性を確保することが要求される。本研究では、プロトン照射がGaN HEMTの長期信頼性に与える影響を調べた。最初にGaN HEMTに70MeV、2×10¹²/cm²でプロトン照射を行い、その後RF通電試験中の特性変化を評価した。プロトンを照射したサンプルは、照射後からRF通電1000h後まで、P_outの変化は<0.2dBと小さかった。長期信頼性を考慮しても十分高い耐放射線性を有していると考えられる。