[6p-PA8-1~31] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[6p-PA8-18] AlGaN/GaN HEMT構造におけるドット形凹凸AlGaN層形成によるコンタクト抵抗低減の検討

〇(M2)渡部 拓巳¹、久永 真之祐¹、星井 拓也¹、角嶋 邦之¹、若林 整¹、岩井 洋¹、筒井 一生¹ (1.東工大)

キーワード：HEMT構造、AlGaN / GaN、オーミックコンタクト

AlGaN/GaN HEMTの低抵抗オーミックコンタクト技術では、電子に対する障壁性と2DEGの高濃度誘起作用をもつAlGaN層の厚さはトレードオフである。これを克服する方法として、抵抗低減をはかる技術を提案した。凹凸構造の平面パターンが電極への電流の流入方向と平行なストライプ形状の場合に微細化による低抵抗化が促進された。そこで今回はドット形の凹凸構造について、その配置やサイズの効果などを調べた。