2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[7a-A201-1~8] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2017年9月7日(木) 09:00 〜 11:00 A201 (201)

児島 一聡(産総研)

09:15 〜 09:30

[7a-A201-2] 熱分解炭素被覆サセプタを用いたSiCエピリアクタクリーニング

塩田 耕平1、倉島 圭祐1、〇羽深 等1、伊藤 英樹2、三谷 慎一2、高橋 至直3 (1.横国大院工、2.ニューフレアテクノロジー、3.関東電化工業)

キーワード:炭化珪素、クリーニング、三フッ化塩素

三フッ化塩素(ClF3)ガスを用いてSiC堆積物を除去する方法(クリーニング)が提案されている。サセプタをClF3ガスによる腐食から保護するために熱分解炭素膜が有効であることが把握された。本報告では、熱分解炭素被膜を設けたカーボンサセプタにSiCを製膜し、得られた膜をClF3ガスにより除去した。これにより実際に製膜とクリーニングを試行したので、詳細を報告する。