[7a-A301-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[7a-A301-11] N^*ラジカル源を用いた反応性スパッタ法によるGaN形成

〇白井 雅紀¹、山本 拓司¹、高澤 悟¹、石橋 暁¹ (1.株式会社アルバック)

キーワード：GaN

スパッタリング法によるGaN薄膜形成について検討を行っている。今回、化合物系のスパッタで広く用いられるリアクティブスパッタ法において、通常の反応性ガスとしてN₂を用いる方式(従来法)と成膜中にN*を照射する(ラジカル法)の2方式を検討し、各成長モデルについての考察を行った。