[7a-A301-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[7a-A301-4] RF-MBE法を用いたInN成長におけるN*照射の影響

〇(M1)渡邊 一生¹、臼田 知志¹、片桐 温¹、毛利 真一郎¹、荒木 努¹、名西 憓之¹ (1.立命館大理)

キーワード：InN、MBE、PL

高品質な結晶を得るための手法として、原料交互供給により layer-by-layer 成長が可能な MEE 法が提案され、GaAs結晶成長などに適用されている。しかしながら、InN成長ではV族元素としてNを活性なラジカルの状態で供給する必要があり、このとき、N*が成長表面に照射ダメージを与えている可能性がある。本研究では、RF-MBEを用いたInN成長におけるN*照射の影響について調べた。