[7a-C11-1~12] 17.1 カーボンナノチューブ，他のナノカーボン材料

[7a-C11-2] XANESによる単層カーボンナノチューブ生成時における遷移金属触媒のその場測定

〇熊倉 誠¹、桐林 星光¹、才田 隆広¹、成塚 重弥¹、丸山 隆浩¹ (1.名城大理工)

キーワード：単層カーボンナノチューブ、遷移金属触媒、X線吸収端近傍構造

単層カーボンナノチューブ(SWNT)は優れた電気的特性を有することから、エレクトロニクス材料への応用が期待されている。SWNTの触媒には一般的にCoやNiといった遷移金属触媒が用いられるが、SWNT生成中の触媒の化学結合状態を直接測定した報告は未だ多くない。そこで本研究ではX線吸収端近傍構造(XANES)のその場測定を行うことにより、SWNT成長中のCoおよびNi触媒粒子の化学結合状態の解明を試みた。