[7p-A204-1~14] 【CS.7】6.1 強誘電体薄膜,13.3 絶縁膜技術,13.5 デバイス／集積化技術のコードシェアセッション

[7p-A204-1] ドーパント添加ZrO₂エピタキシャル薄膜の結晶構造と電気特性調査

〇崔 ス珍¹、白石 貴久¹、木口 賢紀¹、清水 荘雄²、舟窪 浩²、今野 豊彦¹ (1.東北大、2.東工大)

キーワード：ZrO2薄膜、エピタキシャル、Orthorhombic相

これまで 報告されたZrO₂薄膜における強誘電性または反強誘電性の研究は、ドーパント添加されていないZrO₂薄膜でのみ行われている。本研究ではドーパントとして広く応用されているFeに注目し、エピタキシャル成長したFe添加ZrO₂薄膜を作製し、その結晶構造および電気特性を調査した。薄膜は、固相エピタキシー法によって、(100)YSZ単結晶基板上に膜厚20 nmで堆積した。その後、窒素雰囲気中で900^oC、10分間の急速熱処理を行うことで結晶化させた。製膜した薄膜は、XRDとSTEMを用いて結晶構造を調査した。また、P-Eヒステリシスループを用いて強誘電性を調査した。