[7p-A204-1~14] 【CS.7】6.1 強誘電体薄膜,13.3 絶縁膜技術,13.5 デバイス／集積化技術のコードシェアセッション

[7p-A204-6] スパッタ成膜SrTa₂O₆ High-k薄膜の電気的特性評価とラフネス制御

髙橋 崇典¹、宝賀 剛¹、安井 寛治²、浦岡 行治³、〇内山 潔¹ (1.鶴岡高専、2.長岡技科大、3.奈良先端大)

キーワード：高誘電体、ゲート酸化膜、薄膜トランジスタ（TFT)

ゲート酸化膜としてHigh-k材料であるSrTa₂O₆を用いた薄膜トランジスタ（TFT)の開発を行っている。本研究ではその高誘電体としての電気特性と、TFTとしての性能に影響する表面ラフネスの改善について報告する。