[7p-A301-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[7p-A301-18] オゾン水酸化を用いたデジタルウェットエッチングによるInGaN/GaNナノ構造のサイズ制御

〇小川 航平¹、石嶋 駿¹、生江 祐介¹、松岡 明裕¹、大江 優輝¹、川崎 祐生¹、菊池 昭彦^1,2 (1.上智大理工、2.上智大ナノテクセンター)

キーワード：窒化ガリウム、ナノ構造、エッチング

飽和オゾン水（SOW）処理による表面酸化膜形成とバッファード弗酸による酸化膜エッチング（BOE）を組み合わせたデジタルウェットエッチング法を用いて、InGaN/GaN単一ナノピラー構造とナノピラーアレイ構造のサイズ制御を行った。